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J-GLOBAL ID：201702283495922597   整理番号：17A1943475

一軸歪シリコンナノスケールNMOSFETのチャネル電流へのガンマ線の影響

Effects of gamma-ray radiation on channel current of the uniaxial strained Si nano-scale NMOSFET

著者 (4件)： Hao Minru (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hu Huiyong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Liao Chenguang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wang Bin (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 19  ページ： 20170866(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一軸歪シリコンナノメータNMOSFETのチャネル電流の解析モデルが,総線量照射による劣化を考慮して開発されている。このモデルに基づいて,Matlabによる数値シミュレーションを実行し,チャネル電流に対する総線量の影響をシミュレーションした。さらに,モデルの妥当性を評価するために,シミュレーション結果と実験データを比較して良好な一致を確認した。このように,提案モデルは一軸歪シリコンナノメータNMOSFETの照射信頼性に関する研究の参考となるものであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  チャネル ,  *γ線 ,  放射線量 ,  支援プログラム ,  *歪
準シソーラス用語： MATLABシミュレーション ,  *nMOSFET ,  *一軸歪 ,  総線量

著者キーワード (4件)： uniaxial strained Si ,  nano NMOSFET ,  total dose ,  channel current

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (10件)：

• [1] M. Rayet al.: “Photoluminescence from oxidized macroporous silicon: Nanoripples and strained silicon nanostructures,” IEEE Trans. Device Mater. Rel. 13 (2013) 87 (DOI: 10.1109/TDMR.2012.2214781).
• [2] J.-S. Gooet al.: “Scalability of strained-Si nMOSFETs down to 25 nm gate length,” IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 351 (DOI: 10.1109/LED.2003.812563).
• [3] I. Sanchez Esquedaet al.: “Compact modeling of total ionizing dose and aging effects in MOS technologies,” IEEE Trans. Nucl. Sci. 62 (2015) 1501 (DOI: 10.1109/TNS.2015.2414426).
• [4] E. Garcia-Morenoet al.: “Temperature compensated floating gate MOS radiation sensor with current output,” IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 (2013) 4026 (DOI: 10.1109/TNS.2013.2277605).
• [5] J. R. Schwanket al.: “Radiation effects in MOS oxides,” IEEE Trans. Nucl. Sci. 55 (2008) 1833 (DOI: 10.1109/TNS.2008.2001040).

タイトルに関連する用語 (6件)： 一軸 ,  歪シリコン ,  ナノスケール ,  nMOSFET ,  チャネル ,  ガンマ線