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J-GLOBAL ID：201702286895715631   整理番号：17A0565601

表面活性化法を用いた常温ウェハ接合技術

著者 (3件)： 内海淳 (三菱重工工作機械株式会社) ,  井手健介 (三菱重工工作機械株式会社) ,  一柳優子 (横浜国立大学大学院工学研究院)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 38  号： 2  ページ： 72-76(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電極と絶縁層が同一面に混在したハイブリッド面同士を同時接合する技術を実現するために表面活性化法を用いた常温接合技術を応用した接合方法を紹介した。常温接合の原理を紹介し,接合装置を説明した。ハイブリッド接合技術として極薄Si層を用いたSiO₂/SiO₂接合,Cu/Cu接合について述べた。半導体デバイスの3次元積層化にとって,金属電極材と絶縁層を同時接合するハイブリッド接合技術に有効となる。

シソーラス用語： *活性化 ,  *中温 ,  ウエハ【IC】 ,  *接合 ,  界面 ,  接合部 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *ウエハ接合 ,  *常温 ,  接合界面 ,  *表面活性化

著者キーワード (10件)： surface activated bonding ,  room temperature bonding ,  bonding interface ,  SiO₂ ,  hybrid bonding ,  surface activated bonding ,  room temperature bonding ,  bonding interface ,  SiO₂ ,  hybrid bonding

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• 1) T. Suga, K. Miyazawa and Y. Yamagata: MRS Inter. Meeting on Advanced Materials, Material Research Soc. 8, 257 (1989).
• 2) T. Suga, Y. Takahashi, H. Takagi, B. Gibbesch and G. Elssner: Acta Metall. Mater. 40, S133 (1992).
• 3) M. Miura, T. Matsuda, Y. Satoh, M. Ueda, O. Ikata, Y. Ebata and H. Takagi: Proc. IEEE Ultrason. Symp. (2005) p. 573.
• 4) S.N. Farrens, J.R. Dekker, J.K. Smith and B.E. Roberds: J. Electrochem. Soc. 142, 3949 (1995).
• 5) H. Takagi, R. Maeda, T.R. Chung, N. Hosoda and T. Suga: Jpn. J. Appl. Phys. 37, 4197 (1998).

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面活性化 ,  常温 ,  ウェハ