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J-GLOBAL ID：201702289483103266   整理番号：17A1271131

自己整合ナノカーボン電界効果トランジスタのためのプラズマプロセスの影響【Powered by NICT】

Effects of the plasma process for self-aligned nano-carbon field-effect transistors

著者 (8件)： Kawahara Toshio (Dept. of Electronic and Information Engineering, Chubu University, Kasugai 487-8501, Japan) ,  Rupesh Singh Kumar (Dept. of Electronic and Information Engineering, Chubu University, Kasugai 487-8501, Japan) ,  Ohno Yasuhide (Graduate School of Science and Technology, Tokushima University, 770-8501, Japan) ,  Maehashi Kenzo (Institute of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 184-8588, Japan) ,  Matsumoto Kazuhiko (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 567-0047, Japan) ,  Okamoto Kazumasa (Faculty of Engineering, Hokkaido University, 060-8628, Japan) ,  Utsunomiya Risa (Nisshin Electric. Co., Ltd., Kyoto 615-8686, Japan) ,  Matsuba Teruaki (Nisshin Electric. Co., Ltd., Kyoto 615-8686, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整合プロセスを用いたCNW-FETを作製した。CNW-FETのデバイス特性を改善するプラズマプロセスを議論する,O_2プラズマエッチングによるゲート漏れ電流とH_2プラズマによる内部電極接触である。H_2プラズマエッチングもドレイン電流の雑音パワースペクトル密度を低下させ,雑音分光法はデバイス特性を調べ,ナノカーボンFETなどのSchottkyデバイスのためのデバイス作製プロセスの改善に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音 ,  *プラズマ処理 ,  *プラズマ ,  *自己整合 ,  パワースペクトル密度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  プラズマエッチング
準シソーラス用語： プロセス改善 ,  ドレイン電流 ,  内部電極 ,  ゲート漏れ電流 ,  デバイス特性 ,  *ナノカーボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己整合 ,  ナノカーボン ,  電界効果トランジスタ ,  プラズマプロセス