文献

J-GLOBAL ID：201702289698542108   整理番号：17A1802574

アニールTi/Cu₂O/Ti積層の相補的抵抗スイッチング

Complementary resistive switching of annealed Ti/Cu₂O/Ti stacks

著者 (5件)： WANG Hao-Yu (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  JOU Shyankay (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  HUANG Bohr-Ran (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  SONG Wan-Jhen (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  MAO Tzu-Zing (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 4  ページ： 045801.1-045801.3  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタ蒸着と3つの光リソグラフィー用マスクを使用するリフトオフプロセスにより,25μm厚さのCu₂O層を持つTi/Cu₂O/Ti積層を作製した。引き続くTi/Cu₂O/Ti積層の250°Cでの真空アニーリングによりTiとCu₂O層間の界面反応が誘起され,Ti/Cu₂O/TiをTi/TiO_x/Cu/TiO_x/Ti構造に転換させた。五層積層は一対の反直列Ti/TiO_x/CuとCu/TiO_x/Tiの抵抗スイッチング素子に似ていて,従って相補的抵抗スイッチング挙動を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *積層構造 ,  *チタン ,  酸化第一銅 ,  *多層膜 ,  *スイッチング ,  微細加工 ,  スパッタ蒸着 ,  熱処理 ,  *相補性 ,  不均一系反応 ,  *酸化チタン ,  *銅 ,  記憶素子
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  リフトオフ ,  界面反応 ,  メモリ素子

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (27件)：

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• J. J. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013).
• M. A. Zidan, H. A. H. Fahmy, M. M. Hussain, and K. N. Salama, Microelectron. J. 44, 176 (2013).
• E. Linn, R. Rosezin, C. K?geler, and R. Waser, Nat. Mater. 9, 403 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： アニール ,  Ti ,  Cu2O ,  抵抗スイッチング