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J-GLOBAL ID：201702289934170231   整理番号：17A0953398

NH₃ソースのMBEによるGaN成長における高いNH₃打ち込み状態下での成長速度の異常変化

Abnormal variation of the growth rate under high NH₃ injected regime in the growth of GaN by NH₃-source MBE

著者 (5件)： CHOI Sungkuk (Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR) ,  JUNG Soohoon (Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR) ,  CHO Youngji (Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR) ,  LEE Sangtae (Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR) ,  CHANG Jiho (Korea Maritime and Ocean Univ., Busan, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 035504.1-035504.4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気体ソースのMBEを用いたGaN生成中の異常な成長速度変化を遷移層で起こる化学反応に関して議論した。成長状態とGaNの結晶品質の影響を確かめることによりその仮定を確認するために,一連の試料を用意した。著者らは固定したGa流速でのNH₃-リッチ条件下でも,NH₃供給量に伴って成長速度を変化できることを明らかにした。二つの成長条件で,その遷移層への影響を研究した。一つは原子間力顕微鏡の結果であり,吸着原子の移動長は遷移層生成にきっちりと関係していることを明らかにした。もう一つは蛍光スペクトルで,GaNの蛍光特性は遷移層に強く関係していることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *アンモニア ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *成長速度 ,  原子間力顕微鏡 ,  蛍光スペクトル ,  *層 ,  *注入 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *遷移層 ,  *ガス注入

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (37件)：

• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
• R. F. Davis, Z. Sitar, B. E. Williams, H. S. Kong, H. J. Kim, J. W. Palmour, J. A. Edmond, J. Ryu, J. T. Glass, and C. H. Carter, J. Mater. Sci. Eng. B 1, 77 (1988).
• A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
• K. Naniwae, S. Itoh, H. Amano, K. Itoh, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 99, 381 (1990).
• Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995).

タイトルに関連する用語 (7件)： NH3 ,  ソース ,  MBE ,  GaN ,  成長 ,  打ち込み ,  成長速度