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J-GLOBAL ID：201702295462463507   整理番号：17A1221168

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのソースリーク電流による電流コラプスモードとその影響

Novel current collapse mode induced by source leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors and its impact

著者 (6件)： TSUBOMI Kunihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TSUBOMI Kunihiro (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (JST-ACCEL, Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 8S2  ページ： 08PD06.1-08PD06.5  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのオン抵抗を低減するためには,電流コラプス現象の抑制が必要である。電流の崩壊は,表面およびバッファ層における電子捕獲によって引き起こされる。これまでの研究では,トラップへの電子注入は主にゲートリーク電流によるものとみなされてきたが,他の要因については議論されなかった。本研究では,2次元デバイスシミュレータを用いて,ソースリーク電流による新しい電流コラプスモードを検討した。ゲートリーク電流に加えて,電子トラップは,オフ状態の間にゲート電極の下を流れるソースリーク電流によって誘発された。電子トラッピングは,オン抵抗を増加させ,ピンチオフ電圧を低下させた。オン抵抗の増加は,いくつかのトラップおよび電圧条件の下で明らかになった。シミュレートされた範囲では,オフ状態で500Vのストレスドレイン電圧を印加した場合にのみ,ソース電流コラプスモードのみで,オン抵抗が1.31倍以上に増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *漏れ電流 ,  ソース【半導体】 ,  オン抵抗 ,  捕獲 ,  ピンチオフ ,  *電流コラプス ,  電子トラップ ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  リーク電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (31件)：

• U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
• M. J. Uren, J. Moreke, and M. Kuball, IEEE Trans. Electron Devices 59, 3327 (2012).
• S. Faramehr, K. Kalna, and P. Igi?, Semicond. Sci. Technol. 29, 025007 (2014).
• K. Horio, K. Yonemoto, H. Talcayanagi, and H. Nakano, J. Appl. Phys. 98, 124502 (2005).
• K. Horio, A. Nakajima, and K. Itagaki, Semicond. Sci. Technol. 24, 085022 (2009).

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ソース ,  リーク電流 ,  電流コラプス