特許
J-GLOBAL ID：201703000654827042
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-023178
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179296
特許番号：特許第6175244号
出願日： 2013年02月08日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面上に設けられ、第1の不純物添加領域、前記第1の不純物添加領域を囲むチャネル形成領域、前記チャネル形成領域を囲む第2の不純物添加領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられ、前記第1の不純物添加領域と電気的に接続された島状のソース電極またはドレイン電極の一方と、
前記チャネル形成領域と重なり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方を囲むゲート電極と、
前記チャネル形成領域と前記ゲート電極間に介在するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の側端部を覆い、前記ゲート電極を囲む前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と電気的に接続された第1の接続電極と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方と電気的に接続された第2の接続電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 612 C
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/88 R
, H01L 29/44 L
, H01L 29/50 M
, H01L 21/90 D
, H01L 21/90 V
, G09F 9/30 338
