特許
J-GLOBAL ID：201703001111865951
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-179213
公開番号（公開出願番号）：特開2015-048259
特許番号：特許第6136772号
出願日： 2013年08月30日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 c面{0001}面に第1オフ角を有する炭化珪素基板にて構成され、該炭化珪素基板の一部が螺旋転位発生可能領域(3a)となり、前記螺旋転位発生可能領域ではない部分が低密度螺旋転位領域(3b)となった種結晶(3)を用意する工程と、
前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガスを供給することにより、前記種結晶上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる工程と、を含み、
前記種結晶を用意する工程では、前記種結晶として、該種結晶のオフ方向のうち前記炭化珪素結晶に形成されるc面ファセットと対応する側を上流側とし、前記オフ方向の上流側に、前記炭化珪素基板に対して前記第1オフ角よりも小さな第2オフ角となる底面を有するスリット(3d)にて前記螺旋転位発生可能領域が構成され、かつ、前記スリットを該スリットの幅に対する深さの比であるアスペクト比を1以下として形成したものを用意することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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