特許

J-GLOBAL ID：201703001643148913

検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム

発明者： 藤吉 健太郎 ,  望月 千織 ,  渡辺 実 ,  大藤 将人 ,  横山 啓吾 ,  川鍋 潤 ,  和山 弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-089550
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012715
特許番号：特許第6095276号
出願日： 2012年04月10日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の画素を基板の上に有し、前記画素が、前記基板の上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の上に配置され前記画素毎に分離された電極の上に設けられた不純物半導体層を含む変換素子と、を有し、前記スイッチ素子を覆うように前記基板と複数の前記電極との間に設けられた無機材料からなる保護層と、前記保護層を覆うように設けられた有機材料からなる層間絶縁層と、に設けられたコンタクトホールにおいて前記スイッチ素子と前記電極とが接続されている検出装置の製造方法であって、 前記層間絶縁層に接する複数の前記電極と、複数の前記電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材と、を前記層間絶縁層の上に形成する第1の工程と、 前記絶縁部材と複数の前記電極とを覆う、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する第2の工程と、 前記絶縁部材を形成する際に前記層間絶縁層のコンタクトホール内に位置する前記電極の段差の部分の正射影が位置する前記保護層の領域が被覆されているように、被覆層を形成する第3の工程と、 を有する検出装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 31/08 ( 200 6.01) ,  H04N 5/369 ( 201 1.01) ,  H01L 27/144 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A ,  H04N 5/335 690 ,  H01L 27/14 K

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 検出装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-018649   出願人：セイコーエプソン株式会社
• X線検出器およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-233022   出願人：東芝電子管デバイス株式会社, 株式会社東芝
• 放射線画像検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-331496   出願人：富士フイルム株式会社
• 電磁波検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-209179   出願人：富士フイルム株式会社
• 検出装置及び放射線検出システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-260522   出願人：キヤノン株式会社