特許

J-GLOBAL ID：201703002156658503

基体、発光素子および基体の製造方法

発明者： 西中 浩之 ,  吉本 昌広
出願人/特許権者： 国立大学法人京都工芸繊維大学
代理人 (2件)： 幸丸 正樹 ,  龍竹 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-221683
公開番号（公開出願番号）：特開2017-088454
出願日： 2015年11月11日
公開日（公表日）： 2017年05月25日
要約：

【課題】特性と信頼性の高い発光素子またはその他半導体素子を実現することができる基体を提供する。【解決手段】基体は、サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成され、ガリウム、鉄、クロム、アルミニウム、インジウムのうちの少なくとも1つを含む菱面体晶構造を有する酸化物からなる緩衝層2と、緩衝層2の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層3と、を備える。サファイア基板1は、結晶方位がc面、r面、a面およびm面のうちのいずれか1つである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、 前記サファイア基板上に形成され、ガリウム、鉄、クロム、アルミニウム、インジウムのうちの少なくとも1つを含む菱面体晶構造を有する酸化物からなる緩衝層と、 前記緩衝層の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層と、を備える、 基体。

IPC (7件)：

C30B 29/22 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  H01L 33/42 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/22

FI (7件)：

C30B29/22 Z ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L33/00 222 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 172

Fターム (29件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BC60 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA06 ,  4K030BA07 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB13 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F241AA43 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA88

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置および結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-218891   出願人：ROCA株式会社
• 低抵抗ITO薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-187755   出願人：ホーヤ株式会社
• 基板、テンプレート基板、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を用いた照明装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-286938   出願人：昭和電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Growth of corundum-structured (InxGa1-x)2O3 alloy thin films on sapphire substrates with buffer laye
• Growth of corundum-structured In2O3 thin films on sapphire substrates with Fe2O3 buffer layers