ウェーハの加工方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松本昂 , 岡本知広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-041414
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157749
出願日： 2016年03月03日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：

【課題】作業性を向上すると共に経済的であり、且つ、剥離貼着に伴うウェーハ破損の恐れを低減する加工方法を提供する。【解決手段】交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にデバイス15が形成されたウェーハ11の加工方法であって、ウェーハの表面を外的刺激で硬化する樹脂で被覆して保護膜17を形成する保護膜形成ステップと、ウェーハの裏面側11bをチャックテーブルで保持し、保護膜を切削バイトで切削して平坦化する保護膜平坦化ステップと、ウェーハの保護膜側をチャックテーブル46の吸引保持部50で保持し、裏面を研削して所定厚みへと薄化する研削ステップと、ウェーハの保護膜側をチャックテーブルで保持し、ウェーハの裏面側から分割予定ラインを検出するステップと、分割予定ラインに沿ってウェーハの裏面側からウェーハを加工してウェーハを複数のチップへと分割するステップとを備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面を外的刺激で硬化する樹脂で被覆して保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面側をチャックテーブルで保持し、該保護膜を切削バイトで切削して平坦化する保護膜平坦化ステップと、該保護膜平坦化ステップを実施した後、ウェーハの該保護膜側をチャックテーブルで保持し、ウェーハの裏面を研削手段で研削してウェーハを所定厚みへと薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの該保護膜側をチャックテーブルで保持し、ウェーハの裏面側から該分割予定ラインを検出する分割予定ライン検出ステップと、該分割予定ライン検出ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウェーハの裏面側からウェーハを加工してウェーハを複数のチップへと分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , B23D 5/02 , H01L 21/683 , H01L 21/304

FI (5件)：

H01L21/78 M , H01L21/78 Y , B23D5/02 , H01L21/68 N , H01L21/304 631

Fターム (54件)：

3C050AB01 , 3C050AC03 , 4E168AD01 , 4E168AD18 , 4E168AE01 , 4E168CB07 , 4E168DA04 , 4E168HA01 , 5F057AA35 , 5F057BA11 , 5F057BB03 , 5F057CA14 , 5F057CA31 , 5F057DA11 , 5F057EC13 , 5F057FA13 , 5F063AA05 , 5F063AA29 , 5F063AA43 , 5F063BA33 , 5F063CA02 , 5F063CA04 , 5F063CA06 , 5F063CB03 , 5F063CB06 , 5F063CB22 , 5F063CB28 , 5F063DD81 , 5F063DD85 , 5F063DE03 , 5F063DE33 , 5F063DF06 , 5F063DF30 , 5F131AA02 , 5F131AA04 , 5F131BA32 , 5F131CA09 , 5F131CA49 , 5F131DA03 , 5F131DA33 , 5F131DA42 , 5F131DB22 , 5F131EA05 , 5F131EA07 , 5F131EB03 , 5F131EB32 , 5F131EB54 , 5F131EC33 , 5F131EC34 , 5F131EC75 , 5F131KA14 , 5F131KA44 , 5F131KB08 , 5F131KB53

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-286174 出願人：シャープ株式会社
ウェーハの研削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-223714 出願人：株式会社ディスコ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-150048 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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