特許
J-GLOBAL ID：201703002640855852

パワー半導体モジュールおよびその製造方法

発明者：
吉崎 茂雄

吉崎 茂雄 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-282419
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127561
特許番号：特許第6065581号
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上の所定位置に配置されたパワー素子と、 前記パワー素子と前記パワー素子に電力を供給する電力供給部とを接続するアルミワイヤと、 前記基板上の所定位置に配置された制御ICと、 前記制御ICと前記基板のリードとを接続する金ワイヤと、 を封止樹脂内に備え、 前記アルミワイヤの配置位置が、前記封止樹脂を形成するために注入した樹脂の流動を前記金ワイヤに対してブロックする位置にされており、 前記アルミワイヤが、前記制御ICに近い前記パワー素子の側部の角部のうち前記流動の上流側のIC側上流角部に接続された第1アルミワイヤと、前記IC側上流角部に対して対角となる対角側角部に接続された第2アルミワイヤと、で構成され、 前記封止樹脂を形成するために注入した樹脂が、前記IC側上流角部で前記第1アルミワイヤに当たって前記対角側角部に向けて流れることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 21/56 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 25/04 C ,  H01L 21/56 T
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-087583   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 樹脂封止型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-256468   出願人：アスモ株式会社
  • 半導体モジュールおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-117717   出願人：株式会社デンソー
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審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-087583   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 樹脂封止型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-256468   出願人：アスモ株式会社
  • 半導体モジュールおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-117717   出願人：株式会社デンソー
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