特許
J-GLOBAL ID：201703002767865938
リードフレームの製造方法、半導体装置の製造方法、リードフレーム基材、および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
勝沼 宏仁
, 永井 浩之
, 磯貝 克臣
, 堀田 幸裕
, 村田 卓久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-251076
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099536
特許番号：特許第6056400号
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 リードフレームの製造方法において、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有し、ダイパッドまたはリード部のうち所定位置に電気接続領域が設けられたリードフレーム基材を準備する工程と、
インクジェット法を用いてレジスト材を塗布および硬化させることにより、リードフレーム基材の電気接続領域の周縁に沿って、Agナノペーストの流出を防止するレジスト層を形成する工程と、
レジスト層によって規定される電気接続領域上に、インクジェット法を用いてAgナノペーストを塗布する工程と、
リードフレーム基材からレジスト層を除去する工程と、
電気接続領域上のAgナノペーストを焼成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 A
, H01L 23/50 K
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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