特許

J-GLOBAL ID：201703003029886560

半導体装置

発明者： 草野 健一郎
出願人/特許権者： ラピスセミコンダクタ株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-164747
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197759
出願日： 2016年08月25日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：

【課題】半導体層における電荷の蓄積を防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子を備える素子形成領域と、平面視において素子形成領域に接すると共に第1開口部を備え且つ第1絶縁部材からなる素子分離領域と、を有する半導体層と、半導体層の主面に第1面を接して形成されると共に第1開口部に連通する第2開口部および第2開口部とは異なる位置に設けられた第3開口部を備えた第2絶縁部材と、半導体層の主面に対向する半導体層の裏面に接する第2面と第2面に対向する第3面とを備えると共に、第1開口部と連通する第4開口部を有する第3絶縁部材と、半導体層の主面と第3面との間の距離よりも小さい厚さを有する第1導電部材に接続されると共に、連続的な側壁を有する第1開口部と第2開口部と第4開口部との内部に形成された第2導電部材と、を備える。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体素子を備える素子形成領域と、平面視において前記素子形成領域に接すると共に第1開口部を備え且つ第1絶縁部材からなる素子分離領域と、を有する半導体層と、 前記半導体層の主面に第1面を接して形成されると共に前記第1開口部に連通する第2開口部および前記第2開口部とは異なる位置に設けられた第3開口部を備えた第2絶縁部材と、 前記半導体層の前記主面に対向する前記半導体層の裏面に接する第2面と前記第2面に対向する第3面とを備えると共に、前記第1開口部と連通する第4開口部を有する第3絶縁部材と、 前記半導体層の前記主面と前記第3面との間の距離よりも小さい厚さを有する第1導電部材に接続されると共に、連続的な側壁を有する前記第1開口部と前記第2開口部と前記第4開口部との内部に形成された第2導電部材と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 23/52 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762

FI (7件)：

H01L21/88 J ,  H01L21/90 C ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/12 C ,  H01L27/12 F ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L

Fターム (73件)：

5F032AA01 ,  5F032AA07 ,  5F032AA09 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA03 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA43 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F033GG03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033MM30 ,  5F033NN08 ,  5F033NN11 ,  5F033NN34 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033VV01 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F033XX07 ,  5F033XX31 ,  5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL30 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SOI半導体装置の製造方法及びSOI半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169161   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-110498   出願人：沖電気工業株式会社, 宮城沖電気株式会社
• SOI基板及び半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-370971   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-052511   出願人：株式会社東芝