磁気抵抗センサ製造

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-075042
公開番号（公開出願番号）：特開2017-004586
出願日： 2016年04月04日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：

【課題】リーダ形成中で高温アニール処理後に反強磁性結合特性の劣化が少ないリーダ磁気構造を可能にする。【解決手段】リーダ構造は第1のリーダを含み、第1のリーダはセンサスタック130と頂部シールド構造122とを含み、頂部シールド構造は合成反強磁性シールド(SAF)構造126を含み、合成反強磁性シールド(SAF)構造は、少なくともNiFeの層と不純物添加物とを含む基準層(RL)と、RKKY結合層(たとえばRu層)と、固定層(PL)とを含む。他の実現例では、第1のリーダのSAFシールド構造のRLは、少なくとも非晶質の磁性材料の層を含む。しかし、他の実現例では、SAFシールド構造は、非晶質の磁性材料の挿入層を、SAFシールドRL下、SAFシールドRL内、またはSAFシールドRLとSAFシールドRuとの間に含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リーダ構造であって、第1のリーダを含み、前記第1のリーダは、センサスタックと、頂部シールド構造とを含み、前記頂部シールド構造は、合成反強磁性シールド構造を含み、前記合成反強磁性シールド構造は、少なくともNiFeの層と不純物添加物とを含む基準層と、 RKKY結合層と、固定層とを含む、リーダ構造。

IPC (5件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01F 10/14 , H01F 10/32

FI (5件)：

G11B5/39 , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01F10/14 , H01F10/32

Fターム (25件)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA12 , 5D034BB02 , 5D034BB08 , 5D034BB12 , 5D034BB20 , 5D034CA00 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5F092AB03 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB31 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BE06 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (9件)

センサ積層体、シールド、および第1のシールド安定化構造を備える装置、センサ積層体、シールド、および磁性層を備える装置、データ記憶媒体、記録ヘッド、およびアームを備える装置、ならびに、センサ構造を設け、これをアニールするステップを備える方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-134721 出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
特許第8873204号
磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-114756 出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る