磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-173741
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290225
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】ピン層,スペーサ層,フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子が,磁化方向が実質的に固着された第1の磁性層と,前記第1の磁性層上に配置され,かつ酸化物,窒化物,酸窒化物,金属のいずれか1つからなる薄膜層と,前記薄膜層上に配置され,かつ磁化方向が実質的に固着された第2の磁性層と,を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで,磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が実質的に固着された第1の磁性層と, 前記第1の磁性層下に配置され,この第1の磁性層の磁化方向を固着する第1のピニング層と, 前記第1の磁性層上に配置され,かつ酸化物,窒化物,酸窒化物,金属のいずれか1つからなり、膜厚が0.5nm以上3nm以下である薄膜層と, 前記薄膜層上に配置され,かつ磁化方向が実質的に固着された第2の磁性層と, 前記第2の磁性層上に配置され,この第2の磁性層の磁化方向を固着する第2のピニング層と, を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 43/12 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/10 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L27/10 447 , H01L43/10 , G11B5/39

Fターム (49件)：

4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119DD02 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ09 , 5D034BA04 , 5D034BA16 , 5D034DA07 , 5F092AB02 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC11 , 5F092AD03 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB41 , 5F092BB45 , 5F092BB53 , 5F092BC01 , 5F092BC07 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE27 , 5F092CA14 , 5F092CA15 , 5F092GA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-340637 出願人：ソニー株式会社
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-187070 出願人：株式会社東芝
磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118991 出願人：株式会社東芝

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