特許
J-GLOBAL ID：201703003657903725

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-096842
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178324
出願日： 2016年05月13日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：
【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に、前記基板を加熱しながら、酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、 前記加熱処理は、不活性ガス雰囲気から酸素を含むガス雰囲気に切り替えて行われ、 前記酸化物半導体層は、前記加熱処理により、水素が放出され、酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/477 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/477 ,  H05B33/14 A
Fターム (81件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC33 ,  3K107CC42 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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