成膜装置

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柳康樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-046649
公開番号（公開出願番号）：特開2017-025407
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】成膜対象物に大気中の酸素が付着することによる膜質の低下を抑制することができる成膜装置の提供。【解決手段】成膜対象物11に成膜材料Maを成膜する成膜装置1であって、成膜対象物11を収納し成膜処理を行う真空チャンバー10と、真空チャンバー10内において成膜材料粒子Mbを成膜対象物11に付着させる成膜部14と、真空チャンバー10内に酸素負イオンを生成する負イオン生成部24とを備え、負イオン生成部24により生成された酸素負イオンを、成膜処理によって成膜対象物11に形成された膜の表面に付着させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜対象物に成膜材料を成膜する成膜装置であって、前記成膜対象物を収納し成膜処理を行う真空チャンバーと、前記真空チャンバー内において前記成膜材料の粒子を前記成膜対象物に付着させる成膜部と、前記真空チャンバー内に負イオンを生成する負イオン生成部と、を備える、成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/32 , C23C 14/50 , C23C 14/54

FI (3件)：

C23C14/32 B , C23C14/50 D , C23C14/54 B

Fターム (15件)：

4K029AA24 , 4K029BA41 , 4K029BA46 , 4K029BA49 , 4K029CA03 , 4K029CA13 , 4K029DA04 , 4K029DB05 , 4K029DD05 , 4K029EA06 , 4K029GA02 , 4K029JA01 , 4K029KA01 , 4K029KA03 , 4K029KA09

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-094125 出願人：日本電子株式会社
蒸着装置におけるるつぼ部機構
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073757 出願人：中外炉工業株式会社
特開昭50-149591

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