特許
J-GLOBAL ID：201703004390169896

p型半導体材料および半導体装置

発明者：
浅見 良信

浅見 良信 について

, 
堅石 李甫

堅石 李甫 について

, 
菊地 彫

菊地 彫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025334
公開番号（公開出願番号）：特開2013-234106
特許番号：特許第6108858号
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 MoOy(2<y<3)で表される組成を有するモリブデン酸化物と、 MoO3と、を含有する酸化モリブデンp型半導体材料。
IPC (4件)：
C01G 39/02 ( 200 6.01) ,  H01L 31/06 ( 201 2.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C01G 39/02 ,  H01L 31/06 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 H
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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