特許
J-GLOBAL ID：201703004795908025
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-216388
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072315
特許番号：特許第6046974号
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面にエッチング対象膜が形成された基板上に、露光により多孔質となる露光部と、露光されない非露光部と、を有するパターン形成材料膜を形成する工程と、
前記パターン形成材料膜の前記非露光部を露光せずにそのまま残存させ、前記露光部を露光して前記露光部を多孔質化する工程と、
多孔質化した前記露光部の空隙に選択的に充填種を浸潤して前記露光部を強化する工程と、
前記パターン形成材料膜の前記非露光部をドライエッチングにより除去して所定のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, H01L 21/302 105 A
