特許
J-GLOBAL ID：201703005177589179
発光デバイス
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小野 誠
, 金山 賢教
, 重森 一輝
, 市川 英彦
, 岩瀬 吉和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-208006
公開番号（公開出願番号）：特開2017-038076
出願日： 2016年10月24日
公開日（公表日）： 2017年02月16日
要約：
【課題】GaNをベースにした縦形態のデバイスを提供する。【解決手段】発光デバイスは、下から順に、金属支持層156と、p型コンタクト層150と、p型半導体層、能動層126及びn型半導体層を含む半導体構造と、n型コンタクト層160と、金属パッド層とを含み、半導体構造の側面を覆い且つn型コンタクト層の上面を覆わない不活性層162を含む。金属支持層はNiを含み、p型コンタクト層はPtを含み、半導体構造はGaNを含み、n型コンタクト層はTi及びAlを含み、金属パッド層はAuを含み、不活性層はSiO2を含む。半導体構造の厚さは5μm未満であり、p型半導体層はn型半導体層よりも厚く、半導体構造においてp型半導体層が占める厚さの割合は60%より高い。半導体構造の幅はp型、n型コンタクト層の幅よりも広く、p型コンタクト層の幅はn型コンタクト層の幅よりも広い。半導体構造の上面と下面は表面粗さが異なる。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
金属支持層と、
前記金属支持層上のp型コンタクト層と、
前記p型コンタクト層上のp型半導体層、前記p型半導体層上の能動層、及び、前記能動層上のn型半導体層を含む半導体構造と、
前記半導体構造上のn型コンタクト層と、
前記n型コンタクト層上の金属パッド層と、
前記半導体構造の側面を覆い、且つ、前記n型コンタクト層の上面を覆わない不活性層と、含み、
前記金属支持層は、Niを含み、
前記p型コンタクト層は、Ptを含み、
前記半導体構造は、GaNを含み、
前記n型コンタクト層は、Ti及びAlを含み、
前記金属パッド層は、Auを含み、
前記不活性層は、SiO2を含み、
前記半導体構造の厚さは、5μm未満であり、
前記p型半導体層は、前記n型半導体層よりも厚く、
前記半導体構造において前記p型半導体層が占める厚さの割合は、60%より高く、
前記半導体構造の幅は、前記p型コンタクト層の幅及び前記n型コンタクト層の幅よりも広く、
前記p型コンタクト層の幅は、前記n型コンタクト層の幅よりも広く、
前記半導体構造の上面と下面は、表面粗さが異なる発光デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F241CA04
, 5F241CA22
, 5F241CA40
, 5F241CA49
, 5F241CA57
, 5F241CA65
, 5F241CA66
, 5F241CA73
, 5F241CA74
, 5F241CA75
, 5F241CA76
, 5F241CA77
, 5F241CA88
, 5F241CA92
, 5F241CA93
, 5F241CA98
, 5F241CB04
, 5F241CB05
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
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