特許
J-GLOBAL ID：201703005489242311

半導体装置

発明者：
都築 康明

都築 康明 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-152856
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023249
特許番号：特許第6098412号
出願日： 2013年07月23日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板(3)と、 前記半導体基板(3)の一方の主面側に形成された半導体素子(50)と、 前記半導体素子(50)の上方側に設けられ、前記半導体素子(50)と電気的に接続された電極パッド層(10)と、 前記半導体基板(3)の所定の上面部(3a)と前記電極パッド層(10)を覆う構成で配置されると共に、酸化シリコンを主体として構成される第1絶縁膜(20)と、 前記第1絶縁膜(20)を覆う構成で配置され、窒化シリコンを主体として構成される第2絶縁膜(30)と、 前記電極パッド層(10)の上方において、前記第1絶縁膜(20)及び前記第2絶縁膜(30)を開口して形成される第1開口部(40)と、 少なくとも一部が前記第1絶縁膜(20)及び前記第2絶縁膜(30)の上方に配置され、前記第1開口部(40)を介して前記電極パッド層(10)と電気的に接続されるバンプ(14)と、 前記第1開口部(40)の一部として又は前記第1開口部(40)とは別の開口部として形成され、前記第2絶縁膜(30)において該第2絶縁膜(30)の厚さ方向に貫通すると共に前記バンプ(14)の周囲を取り囲む構成で環状に設けられ外周縁部(42a)が前記バンプ(14)から離れた位置に配置される第2開口部(42、242、342)と、 を備え、 前記第2開口部(42、242、342)は、前記電極パッド層(10)の上方であって、該電極パッド層(10)と重なる領域に形成されていることを特徴とする半導体装置(1、101、201、301)。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/88 T
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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