特許

J-GLOBAL ID：201703006014609390

半導体装置および製造方法

発明者： 田中 裕之 ,  大井 幸多 ,  小野澤 勇一 ,  伊倉 巧裕 ,  杉村 和俊
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053015
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168659
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】微細加工容易なガードリング部を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板に形成された活性領域と、半導体基板において活性領域よりも外側に形成されたガードリング部とを備え、ガードリング部は、半導体基板の上面において環状に形成されたガードリングと、ガードリングの上方に形成された層間絶縁膜と、ガードリングに沿って層間絶縁膜の上方に環状に形成されたフィールドプレートと、ガードリングに沿って環状に形成され、層間絶縁膜を貫通してガードリングとフィールドプレートとを接続するタングステンプラグとを有する半導体装置を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に形成された活性領域と、 前記半導体基板において前記活性領域よりも外側に形成されたガードリング部と を備え、 前記ガードリング部は、 前記半導体基板の上面において環状に形成されたガードリングと、 前記ガードリングの上方に形成された層間絶縁膜と、 前記ガードリングに沿って前記層間絶縁膜の上方に環状に形成されたフィールドプレートと、 前記ガードリングに沿って環状に形成され、前記層間絶縁膜を貫通して前記ガードリングと前記フィールドプレートとを接続するタングステンプラグと を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/41 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336

FI (11件)：

H01L29/44 Y ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 655E ,  H01L29/78 658J ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V

Fターム (13件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB18 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 電力用半導体素子、その製造方法及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-142184   出願人：株式会社東芝, 東芝ディスクリートテクノロジー株式会社
• 縦型複合パワーMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-050049   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-205884   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-258243   出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-146279   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 電力用半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-184910   出願人：株式会社東芝