光電変換素子、撮像装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-096943
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219800
出願日： 2016年05月13日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】撮像性能の優れた撮像装置を提供する。または、低照度下での撮像が容易な撮像装置を提供する。または、低消費電力の撮像装置を提供する。または、画素間の特性ばらつきの小さい撮像装置を提供する。または、集積度の高い撮像装置を提供する。【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、第1の層と、第2の層と、を有し、第1の層は、第1の電極と第2の電極との間に設けられ、第2の層は、第1の層と第2の電極との間に設けられ、第1の層は、セレンを有し、第2の層は、Inと、Gaと、Znと、Oと、を有する、光電変換素子である。なお、第2の層は、In-Ga-Zn酸化物を有する層としてもよい。セレンは、結晶セレンとしてもよい。第1の層は、光電変換層としての機能を有し、第2の層は、正孔注入阻止層としての機能を有する、光電変換素子としてもよい。なお、In-Ga-Zn酸化物は、c軸配向した結晶を有する酸化物としてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、第2の電極と、第1の層と、第2の層と、を有し、前記第1の層は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、前記第2の層は、前記第1の層と前記第2の電極との間に設けられ、前記第1の層は、セレンを有し、前記第2の層は、Inと、Gaと、Znと、Oと、を有する、光電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 31/107 , H01L 31/023 , H01L 27/146

FI (4件)：

H01L31/10 B , H01L31/02 D , H01L27/14 C , H01L27/14 E

Fターム (43件)：

4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FA33 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118GA02 , 4M118GB03 , 4M118GB04 , 4M118GB07 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5F849AA07 , 5F849AB01 , 5F849BA01 , 5F849BA04 , 5F849BA05 , 5F849BA09 , 5F849BA10 , 5F849BA25 , 5F849BA28 , 5F849BB03 , 5F849DA27 , 5F849EA04 , 5F849EA07 , 5F849EA13 , 5F849FA04 , 5F849FA05 , 5F849HA05 , 5F849HA12 , 5F849JA13 , 5F849LA02 , 5F849XB05 , 5F849XB14 , 5F849XB20 , 5F849XB38

引用特許：

審査官引用 (6件)

有機光電変換素子、それを備えた積層型有機撮像素子及び積層型有機太陽電池、並びに有機光電変換素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-274749 出願人：日本放送協会
光電変換装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-030535 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-181925 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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