特許
J-GLOBAL ID：200903094337002790

放射線検出器

発明者：
岩▲崎▼ 信行

岩▲崎▼ 信行 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094273
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251999
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】光導電層の劣化を抑制するとともに、光導電層下に設けられた電荷収集電極に対する絶縁性を確保する。【解決手段】延長電極部431が、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されているため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、正孔注入阻止層402が、延長電極部431とガラス基板408との間から光導電層404の側面と延長電極部431との間を通って、光導電層404上へ形成されているので、光導電層404とガラス基板408との間にギャップがあっても、延長電極部431から電荷収集電極407aへ沿面放電を抑制でき、光導電層404下に設けられた電荷収集電極407aに対する絶縁性を確保できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層と、 前記電荷変換層下に設けられ、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極部を有する基板と、 前記電荷変換層上に積層され前記電荷変換層へ前記バイアス電圧を印加するための上部電極部と、前記上部電極部から前記電荷変換層の側面を下って前記基板上の前記電荷変換層の無い領域へ延長された延長電極部と、を有する電極層と、 前記電荷変換層と前記上部電極部との間から前記延長電極部と前記基板との間へわたって形成され、前記延長電極部と前記基板との接合力を高める中間層と、 前記基板上の前記電荷変換層の無い領域で前記延長電極部と電気的に接続され、前記延長電極部から前記上部電極部を介して前記電荷変換層へバイアス電圧を印加する導線と、 を備えたことを特徴とする放射線検出器。
IPC (4件)：
H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146
FI (4件)：
H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 C
Fターム (29件)：
2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD01 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA10 ,  4M118GB11 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BA13 ,  5F088BB03 ,  5F088DA05 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088LA08
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 放射線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-317965   出願人：株式会社島津製作所
  • フラットパネル型放射線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-099658   出願人：株式会社島津製作所
  • X線平面検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-048329   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (7件)
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