特許
J-GLOBAL ID：201503085193285200

半導体装置

発明者：
長多 剛

長多 剛 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-181925
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079944
出願日： 2014年09月08日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
【課題】紫外線に対する受光感度を高めるセンサ回路を提供する。【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタ101を用いて、紫外線の検出を行う。紫外線又は紫外線を含む光がトランジスタに照射された場合、トランジスタのドレイン電流は紫外線の強度に依存した値となる。このドレイン電流を測定し、紫外線の強度を情報として得る。酸化物半導体のバンドギャップはシリコンのバンドギャップよりも広く、紫外領域に波長を有する光に対し受光感度を高めることができ、センサ回路105の温度の上昇に対する暗電流の増加を抑え、使用できる環境の温度範囲を広げる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トランジスタと、オペアンプと、抵抗素子と、を有し、 前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、 前記トランジスタのソース又はドレインの一方には、第1の信号が入力され、 前記トランジスタのゲートには、第2の信号が入力され、 前記オペアンプの第1の入力端子には、第1の電位が入力され、 前記オペアンプの第2の入力端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、 前記抵抗素子の第1の端子は、前記オペアンプの第2の入力端子と電気的に接続され、 前記抵抗素子の第2の端子は、前記オペアンプの出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/026 ,  H01L 31/08 ,  G01T 1/20
FI (6件)：
H01L27/14 Z ,  H01L31/10 E ,  H01L31/08 M ,  H01L31/00 A ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 B
Fターム (40件)：
2G188AA10 ,  2G188BB02 ,  2G188CC22 ,  2G188DD05 ,  2G188EE05 ,  4M118AA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA09 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118FA28 ,  4M118GB03 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA23 ,  4M118HA25 ,  5F049MA14 ,  5F049MB01 ,  5F049NA10 ,  5F049RA06 ,  5F049SS02 ,  5F049TA06 ,  5F049TA10 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F049WA05 ,  5F049WA07 ,  5F088AA09 ,  5F088AB01 ,  5F088BA20 ,  5F088EA07 ,  5F088JA07 ,  5F088JA10 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13 ,  5F088JA17 ,  5F088LA05 ,  5F088LA07
引用特許：
審査官引用 (14件)
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