凹状フィーチャ内の膜のボトムアップ形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-079207
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208534
出願日： 2017年04月12日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】凹状フィーチャ内の膜のボトムアップを形成するための基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、第1層220及び第1層上の第2層202を含む基板200を提供するステップを有する第2層は、第2層を貫通して延在する凹状フィーチャ204を有する。また、基板上に非コンフォーマルマスク層208を堆積させるステップを有する。マスク層は凹状フィーチャの開口部にオーバーハングを有する。方法はさらに、前記オーバーハングの少なくとも一部を維持しながら、凹状フィーチャの底部203からマスク層を除去するステップと、凹状フィーチャの底部に膜212を選択的に堆積させるステップと、基板からマスク層のオーバーハングを除去するステップと、を含む。堆積させるステップは、膜が凹状フィーチャ内で所望の厚さを有するまで、少なくとも1回繰り返される。【選択図】図2D

請求項（抜粋）：

基板処理方法であって、 a)第1層及び該第1層の上の第2層を含む基板を提供するステップであって、前記第2層は、該第2層を貫通して延在する凹状フィーチャを有するステップと、 b)前記基板の上に非コンフォーマルなマスク層を堆積させるステップであって、前記マスク層は前記凹状フィーチャの開口部にオーバーハングを有するステップと、 c)前記開口部に前記オーバーハングの少なくとも一部を維持しながら、前記凹状フィーチャの底部から前記マスク層を除去するステップと、 d)前記凹状フィーチャの前記底部に膜を選択的に堆積させるステップと、 e)前記基板から前記マスク層のオーバーハングを除去するステップと、を含む方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 14/08 , C23C 16/40 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/320 , H01L 21/768

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C14/08 Z , C23C16/40 , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/88 B

Fターム (61件)：

4K029BA43 , 4K029BA46 , 4K029BA58 , 4K029CA05 , 4K029HA05 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA09 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BA41 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030HA01 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033PP06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ18 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS08 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AF11 , 5F045AF20 , 5F045BB19 , 5F045DB02 , 5F045DC68 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF37 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (5件)

凹部を充填する方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-270893 出願人：東京エレクトロン株式会社
特許第7482247号
半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-062103 出願人：富士電機ホールディングス株式会社, 信越半導体株式会社

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