特許
J-GLOBAL ID：201703006916420087

半導体の選択的な電気化学エッチング

発明者：
ダハル,ラジェンドラ ピー.

ダハル,ラジェンドラ ピー. について

, 
バト,イシュワラ ビー.

バト,イシュワラ ビー. について

, 
チョウ,タシン

チョウ,タシン について


出願人/特許権者：
レンセラール ポリテクニック インスティチュート

レンセラール ポリテクニック インスティチュート について


代理人 (2件)： 森田 憲一 ,  山口 健次郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-551164
公開番号（公開出願番号）：特表2017-516289
出願日： 2015年02月10日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：
半導体構造を製造することを容易にするための方法であって、半導体層を含む多層構造を設けるステップであって、半導体層が、ドーパントを含みそして増加した導電率を有する前記ステップと、少なくとも部分的に、半導体層の気孔率を、電気化学処理を使用して、選択的に増加させるステップであって、気孔率を選択的に増加させるステップが、半導体層の増加した導電率を利用する前記ステップと、多層構造から選択的に増加された気孔率を持つ半導体層を、少なくとも部分的に、除去するステップとを含む方法が提供される。例として、気孔率を選択的に増加させるステップは、多層構造の半導体層を、少なくとも部分的に、選択的に陽極酸化するステップを含み得る。
請求項（抜粋）：
半導体層を含む多層構造を設けるステップと、ここで、前記半導体層が、ドーパントを含みそして増加した導電率を有しており、 少なくとも部分的に、前記半導体層の気孔率を、電気化学処理を使用して、選択的に増加させるステップと、ここで、気孔率を選択的に増加させる前記ステップが、前記半導体層の前記増加した導電率を利用しており、 前記多層構造から前記選択的に増加された気孔率を持つ前記半導体層を、少なくとも部分的に、除去するステップと、 を含む、方法。
IPC (9件)：
H01L 21/02 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  C25D 11/32 ,  H01L 21/306
FI (11件)：
H01L21/02 B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 P ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301D ,  C25D11/32 ,  H01L21/306 B ,  H01L21/306 L
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F043AA05 ,  5F043AA13 ,  5F043AA18 ,  5F043AA20 ,  5F043BB10 ,  5F043DD14 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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