特許
J-GLOBAL ID：201703007151188659
表示装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-238507
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122580
特許番号：特許第6076038号
出願日： 2012年10月30日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のフォトリソグラフィ工程により、一部がゲート電極として機能するゲート配線を形成し、
前記ゲート配線上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
第2のフォトリソグラフィ工程により、前記半導体層上に開口部を有する第1の絶縁層を形成し、
第3のフォトリソグラフィ工程により、前記第1の絶縁層上に、前記半導体層と接する第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に第2の絶縁層を形成し、
第4のフォトリソグラフィ工程により、前記第1の電極と重なる前記第2の絶縁層の一部を選択的に除去して行う開口部の形成と、前記第2の絶縁層、前記第1の絶縁層、前記半導体層、及び前記ゲート絶縁層の一部を除去して行う溝部の形成と、を行い、
第5のフォトリソグラフィ工程により、前記第2の絶縁層上に前記第1の電極と接し、画素電極として機能する第2の電極を形成し、
前記溝部は、前記ゲート配線上において、前記ゲート配線を横切るように設けられ、
前記溝部によって、隣接する画素のトランジスタの半導体層が分離されることを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (6件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H05B 33/08 ( 200 6.01)
G09F 9/30 338
, G02F 1/136
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 658 G
, H05B 33/08
