特許
J-GLOBAL ID：201703007621549130

半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-107938
公開番号（公開出願番号）：特開2017-216306
出願日： 2016年05月30日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
要約：
【課題】キャリアの移動度の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、層中の炭素間の一重結合が、層中の炭素間の二重結合よりも多い酸化シリコン層と、炭化珪素層と酸化シリコン層との間に位置し、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、及び、ランタノイド(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群の少なくとも一つの元素を含む領域と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素層と、 層中の炭素間の一重結合が、層中の炭素間の二重結合よりも多い酸化シリコン層と、 前記炭化珪素層と前記酸化シリコン層との間に位置し、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、及び、ランタノイド(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の群の少なくとも一つの元素を含む領域と、 を備える半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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