グラフェントランジスタおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-234207
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195358
出願日： 2016年12月01日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：

【課題】グラフェン膜の膜厚が均一でゲート幅が大きく大電流での使用が可能なグラフェントランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】グラフェントランジスタ10は、SiCで構成され、Si面に対するオフ角が20°以下の第1主面を有する支持基板11と、支持基板の第1主面の一部分上に配置され、支持基板を構成するSiCの原子配列に対して配向する原子配列を有するグラフェン膜13と、グラフェン膜13の一部分上に配置される絶縁膜16と、ソース電極14およびドレイン電極15と、ゲート電極17と、を備え、グラフェン膜13の支持基板11側とは反対側の主面である露出面において、ラマン分光スペクトルにおけるG’バンドのピークの半値幅が40cm-1以下であり、ゲート幅が100μm以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素で構成され、ケイ素面に対するオフ角が20°以下である第1主面を有する支持基板と、前記支持基板の前記第1主面の一部分上に配置され、前記支持基板を構成する炭化ケイ素の原子配列に対して配向する原子配列を有するグラフェン膜と、前記グラフェン膜の一部分上および前記支持基板の一部分上に亘って配置されるソース電極およびドレイン電極と、前記グラフェン膜の他の一部分上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の少なくとも一部分上に配置されるゲート電極と、を備え、前記グラフェン膜の前記支持基板側とは反対側の主面である露出面において、ラマン分光スペクトルにおけるG’バンドのピークの半値幅が40cm-1以下であり、前記ゲート電極のゲート幅が100μm以上である、グラフェントランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/203 , C01B 32/15 , C01B 32/18 , C01B 32/182

FI (10件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 617J , H01L29/78 617S , H01L29/78 616S , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L21/203 S , C01B31/02 101Z

Fターム (40件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AD30 , 4G146BA08 , 4G146BA41 , 4G146BC03 , 4G146BC23 , 4G146BC34B , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD17 , 5F103DD30 , 5F103PP03 , 5F110AA07 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (4件)

グラフェンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-121274 出願人：インスティチュット・テクノロジー・マテリアルロウエレクトロニチニック
層状炭素構造体の製造方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-335941 出願人：富士通株式会社
圧力センサとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-061918 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る