半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：戸田裕二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042492
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170866
特許番号：特許第6090988号
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型の導電型を有するドリフト領域上に主接合領域と前記主接合領域の周囲に隣接して形成されたp型のJTE領域を備えた半導体装置において、前記JTE領域に、第1JTE領域と、前記第1JTE領域より不純物濃度が低い第2JTE領域を有し、前記第1JTE領域は、前記第2JTE領域に挟み込まれるように設けられ、前記第1JTE領域の接合深さは、前記第2JTE領域の接合深さと同じになるように設けられるとともに、当該接合深さにおける前記第1JTE領域の不純物濃度と前記第2JTE領域の不純物濃度は同じとなるように設けられることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：