特許
J-GLOBAL ID：201703008936334309
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-253870
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140949
特許番号：特許第6125211号
出願日： 2012年11月20日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に前記酸化物半導体膜に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に第2の熱処理を行って、前記絶縁膜中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去された絶縁膜に第2の酸素プラズマドープ処理を行って、前記絶縁膜に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 Z
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 F
, H01L 29/78 617 S
, G02F 1/136
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 348 A
, G09F 9/00 338
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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