特許
J-GLOBAL ID：201703009150652370

配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

発明者：
塚本 晃輔

塚本 晃輔 について

, 
清水 規良

清水 規良 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 恩田 誠 ,  恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-047204
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163027
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】接続信頼性を向上できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板10は、絶縁層16と、絶縁層16の下面16Aに形成された配線層15と、絶縁層16を厚さ方向に貫通する貫通孔16Xとを有する。配線基板10は、貫通孔16Xに充填された充填部23Aと絶縁層16の上面16Bよりも上方に突出する突出部23Bとを有するビア配線23と、ランド17Lを備えた配線層17とを有する。ランド17Lは、絶縁層16の上面16Bを被覆する外周部17Aと、その外周部17Aと連続して形成され、突出部23Bの側面及び上面を被覆するとともに、外周部17Aの上面17Bよりも上方に突出する中央部17Cとを有する。配線基板10は、絶縁層16の上面16Bに形成された絶縁層18と、絶縁層18を厚さ方向に貫通し、中央部17Cの側面17E及び上面17Dを露出する貫通孔18Xと、貫通孔18Xを充填するビア配線24とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1絶縁層と、 前記第1絶縁層の下面に形成された第1配線層と、 前記第1絶縁層を厚さ方向に貫通する第1貫通孔と、 前記第1貫通孔に充填され前記第1配線層と接続された充填部と、前記第1絶縁層の上面よりも上方に突出する突出部とを有する第1ビア配線と、 前記第1絶縁層の上面を被覆する外周部と、前記外周部と連続して形成され、前記突出部の側面及び上面を被覆するとともに、前記外周部の上面よりも上方に突出する中央部とを有するランドを備えた第2配線層と、 前記第2配線層を被覆するように前記第1絶縁層の上面に形成された第2絶縁層と、 前記第2絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記中央部の側面及び上面を露出する第2貫通孔と、 前記第2貫通孔を充填し、前記中央部の側面及び上面を被覆するように形成された第2ビア配線と、 前記第2ビア配線と接続され、前記第2絶縁層の上面に形成された第3配線層と、 を有することを特徴とする配線基板。
IPC (4件)：
H05K 3/46 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40 ,  H01L 23/12
FI (6件)：
H05K3/46 N ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 Q ,  H05K1/11 N ,  H05K3/40 K ,  H01L23/12 N
Fターム (29件)：
5E316AA12 ,  5E316AA15 ,  5E316AA43 ,  5E316CC08 ,  5E316CC10 ,  5E316CC13 ,  5E316CC32 ,  5E316CC52 ,  5E316CC54 ,  5E316DD02 ,  5E316DD22 ,  5E316DD25 ,  5E316DD33 ,  5E316EE31 ,  5E316FF04 ,  5E316FF07 ,  5E316FF24 ,  5E316GG17 ,  5E316GG28 ,  5E316HH07 ,  5E316JJ02 ,  5E317AA24 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC31 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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