特許
J-GLOBAL ID：201703009206372180

情報記録システム

発明者：
橋本 大輔

橋本 大輔 について


出願人/特許権者：
東芝メモリ株式会社

東芝メモリ株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 拓也 ,  大西 邦幸 ,  石川 隆史 ,  北▲崎▼ 聡一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-082279
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157470
特許番号：特許第6190488号
出願日： 2016年04月15日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 データを記憶するためのメモリセルを備え、複数個の前記メモリセルを第1の単位として前記メモリセルに記録されたデータを電気的に消去可能な不揮発性半導体メモリと、 揮発性半導体メモリと、 コントローラ回路と、 温度センサと、 インタフェース回路と、 を備える半導体記憶装置と、 この半導体記憶装置に対し書き込み及び読み出し命令を送信するホスト装置と、 を備える情報記録システムであって、 前記不揮発性半導体メモリならびに前記揮発性半導体メモリは、前記インタフェース回路を介して前記ホスト装置から受信する論理アドレス情報に対応する前記不揮発性半導体メモリの物理アドレスを指定する第1情報をそれぞれ記録可能に構成され、 前記コントローラ回路は、前記インタフェース回路を介して前記ホスト装置から書き込み命令を受信した際は、前記ホスト装置から受信したデータを用いて訂正符号を生成し、 前記不揮発性半導体メモリに、前記データならびに前記訂正符号を記録し、かつ、前記インタフェース回路を介して前記ホスト装置から読み出し命令を受信した際は、前記第1情報を用いて前記不揮発性半導体メモリから読み込んだデータならびに対応する前記訂正符号に基づいて、前記読み出したデータを訂正可能に構成され、 前記不揮発性半導体メモリは、更に前記ホスト装置から受信した書き込み命令に応じて受信した書き込みデータの総量に基づく第2情報と、 前記ホスト装置から受信した読み込み命令に応じて前記不揮発性半導体メモリから読み出したデータの総量に基づく第3情報と、 前記コントローラ回路が、前記不揮発性半導体メモリから読み込んだデータを、対応する前記訂正符号を用いても、訂正することが出来なかったデータの個数に関する第4情報と、 前記不揮発性半導体メモリのうち、データを書き込むことが出来ないと判断されたメモリセルの個数に応じた情報を前記第1の単位で示した第5情報と、 前記不揮発性半導体メモリに含まれるブロックのうちフリーブロックに応じた第6情報と、 前記温度センサを用いて計測された温度に基づく第7情報と、を記憶するように構成され、 前記ホスト装置は、前記半導体記憶装置から前記第2情報及び前記第3情報及び前記第4情報及び前記第5情報及び前記第7情報のうち2つ以上の情報を取得し、前記取得した2つ以上の情報に基づいたグラフを前記ホスト装置に接続される表示装置に表示可能に構成され、 前記半導体記憶装置は、前記ホスト装置から受信した命令及び論理アドレス情報に基づいて、対応する物理アドレスに記録されているデータを前記第1の単位で消去し、前記第6情報を変更可能に構成されていることを特徴とする情報記録システム。
IPC (3件)：
G06F 3/06 ( 200 6.01) ,  G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G06F 3/08 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G06F 3/06 301 J ,  G06F 12/16 330 D ,  G06F 3/08 H ,  G06F 3/06 305 C ,  G06F 3/06 304 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM