特許
J-GLOBAL ID：201703009733656790

半導体デバイス及びその製造方法

発明者：
ヘアベアト フッター

ヘアベアト フッター について

, 
シュテファン シュヴァープ

シュテファン シュヴァープ について


出願人/特許権者：
インフィニオン テクノロジーズ オーストリア アーゲー

インフィニオン テクノロジーズ オーストリア アーゲー について


代理人 (5件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  森田 拓 ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-238400
公開番号（公開出願番号）：特開2017-108139
出願日： 2016年12月08日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：
【課題】半導体デバイス(100A)が提供される。【解決手段】半導体デバイスは、半導体基板を有する少なくとも1つの半導体構成要素(110)と、少なくとも1つの半導体構成要素(110)の少なくとも上に又はその一部に設けられたバリア層(120)と、を含み、その際、バリア層(120)は、ポリマー材料と、前記ポリマー材料に共有結合された有機金属錯化剤と、を含む。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
半導体基板を含む少なくとも1つの半導体構成要素(110)又は少なくとも第1の半導体構成要素(110)と、 前記少なくとも1つの半導体構成要素(110)の少なくとも上に、その中に又はその一部に設けられたバリア層(120、220、320)と、 を含む半導体デバイス(100、200、300、400)であって、 前記バリア層(120、220、320)は、ポリマー材料と、前記ポリマー材料に共有結合された有機金属錯化剤と、を含む、 半導体デバイス(100、200、300、400)。
IPC (5件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320
FI (2件)：
H01L23/30 B ,  H01L21/88 T
Fターム (11件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA10 ,  4M109DB15 ,  4M109EA07 ,  4M109EE06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 特開昭56-124250
  • 特開昭51-011377
  • 樹脂封止半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-166174   出願人：富士電機株式会社
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