特許
J-GLOBAL ID：201103074478414932
半導体装置及び接着シート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
吉武 賢次
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-219339
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071216
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】金属不純物イオンの半導体デバイス領域への拡散による半導体装置の特性の悪化を防ぐ、半導体装置及び接着シートを提供する。【解決手段】半導体装置1は、基板3と、基板3上に設けられた第1の半導体チップと、第1の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第2の半導体チップと、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シート5と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設けられた第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シートと、
を備える、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/52
, C09J 7/00
, C09J 201/00
, C09J 11/00
H01L25/08 Z
, H01L21/52 E
, C09J7/00
, C09J201/00
, C09J11/00
4J004AA13
, 4J004AA17
, 4J004AA18
, 4J004AA19
, 4J004BA02
, 4J004FA05
, 4J004FA08
, 4J040EC001
, 4J040HA066
, 4J040HA136
, 4J040HB21
, 4J040HB22
, 4J040HB35
, 4J040HB37
, 4J040HB38
, 4J040HB40
, 4J040HC01
, 4J040HC13
, 4J040HC14
, 4J040HD13
, 4J040HD23
, 4J040HD41
, 4J040JA09
, 4J040KA43
, 4J040LA09
, 4J040LA11
, 4J040NA20
, 5F047BA21
, 5F047BA51
, 5F047BB03
, 5F047BB18
