半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：矢作和行 , 野々部泰平 , 久保貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-102643
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212259
出願日： 2016年05月23日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】チャネルを形成する部分の不純物濃度のばらつきを抑制しつつ、トレンチの深さを制御し易い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、エピ工程と、トレンチ工程と、を備えている。エピ工程では、サセプタに半導体基板を配置し、回転軸が半導体基板の板厚方向に沿うようにサセプタを回転させる。そして半導体基板の一面に対してソースガス及びドーパントガスを半導体基板の板厚方向と直交する方向に流す。ドープ工程では、エピ層の一部に不純物をドープしてソース領域を形成する。トレンチ工程では、トレンチ及びゲート電極を形成する。エピ工程は、チャネルを形成する第1エピ層を形成する第1エピ工程と、ドープ工程で不純物がドープされる第2エピ層を形成する第2エピ工程と、を有している。第2エピ工程では、第1エピ工程よりもチャンバの内部空間の圧力を低くする。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

一面(12a)側にドリフト層(12)が形成された半導体基板(10)を準備する準備工程と、前記準備工程の実施後、チャンバ(202)の内部空間(208)に設けられたサセプタ(204)に対し、前記一面が前記内部空間にさらされるように前記半導体基板を配置し、回転軸が前記半導体基板の板厚方向に沿うように前記サセプタを回転させるとともに、前記内部空間を加熱し、且つ、前記チャンバに設けられた導入口(202a)から前記内部空間にソースガス及びドーパントガスを導入するとともに、前記一面に対して前記ソースガス及び前記ドーパントガスを前記板厚方向と直交する方向に流して、前記一面を通った前記ソースガス及び前記ドーパントガスを前記チャンバに設けられた排気口(202b)から排気し、前記一面上にエピ層(14)をエピタキシャル成長させるエピ工程と、前記エピ工程の実施後、前記エピ層の一部に不純物をドープしてソース領域(16)を形成するドープ工程と、前記ドープ工程の実施後、前記エピ層を貫通するトレンチ(20)を形成するとともに、形成した前記トレンチにゲート電極(24)を形成するトレンチ工程と、を備え、前記エピ工程は、前記エピ層として、チャネルを形成する第1エピ層(14a)を前記一面上にエピタキシャル成長させる第1エピ工程と、前記第1エピ工程の実施後、前記第1エピ工程よりも前記内部空間の圧力を低くして、前記第1エピ層における前記ドリフト層と反対側の面上に、前記エピ層として、前記ドープ工程で不純物がドープされる第2エピ層(14b)をエピタキシャル成長させる第2エピ工程と、を有している半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (6件)：

H01L29/78 658E , H01L29/78 652T , H01L29/78 653C , H01L29/78 658L , H01L21/205 , C23C16/455

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045BB02 , 5F045BB04 , 5F045CA00 , 5F045DA52 , 5F045DP04 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EE17 , 5F045EK12 , 5F045EK14

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-264278 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
半導体の気相成長装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-224554 出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
半導体膜の改良された堆積方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-578556 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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引用文献：

出願人引用 (1件)

SiCエピタキシャル膜成長技術

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