特許
J-GLOBAL ID：201703010039229688

半導体装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-167015
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219840
出願日： 2016年08月29日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：
【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層と第2の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第3の導電層と第4の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第1の導電層で形成され、ゲート配線は、第1の導電層と第2の導電層で形成され、ソース電極は、第3の導電層で形成され、ソース配線は、第3の導電層と第4の導電層で形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層と、 前記半導体層と電気的に接続された配線と、を有し、 前記配線は、透光性を有する第1の導電層と、遮光性を有する第2の導電層との積層を有し、 前記第1の導電層は、前記第2の導電層と交差する領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/14 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L29/78 616V ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/14 A
Fターム (111件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB08 ,  2H192CB13 ,  2H192CB37 ,  2H192CB45 ,  2H192CB53 ,  2H192CB71 ,  2H192CB83 ,  2H192CC04 ,  2H192CC32 ,  2H192CC42 ,  2H192CC72 ,  2H192DA12 ,  2H192DA24 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192EA76 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB22 ,  2H192FB27 ,  2H192FB33 ,  2H192FB34 ,  2H192FB46 ,  2H192GD61 ,  2H192HA44 ,  2H192HA90 ,  2H192HA95 ,  2H192JA06 ,  2H192JA13 ,  2H192JA17 ,  2H192JA24 ,  2H192JA25 ,  2H192JA32 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC33 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK42 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN44 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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