特許
J-GLOBAL ID：201703010386076050

配線構造およびスパッタリングターゲット

発明者：
奥野 博行

奥野 博行 について

, 
中井 淳一

中井 淳一 について

, 
▲吉▼田 慎太郎

▲吉▼田 慎太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社コベルコ科研

株式会社コベルコ科研 について


代理人 (1件)： 特許業務法人栄光特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-011521
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135149
出願日： 2016年01月25日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】表示装置や入力装置の製造工程や使用環境における塩化物イオンによる金属配線の腐食が抑制される新規配線材料である配線構造を提供する。【解決手段】Al-Ta合金薄膜の表面及び側面の少なくともいずれか一方の面にAl-Ta酸化膜が形成された配線構造であって、前記Al-Ta合金薄膜のTa添加量が0.3〜3.0原子%かつCu含有量が0.03原子%以下であり、前記Al-Ta酸化膜の膜厚が3〜10nmであり、かつ、前記Al-Ta酸化膜中のTaの原子%濃度がAl-Ta合金薄膜中のTaの原子%濃度より低いことを特徴とする配線構造。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Al-Ta合金薄膜の表面及び側面の少なくともいずれか一方の面にAl-Ta酸化膜が形成された配線構造であって、 前記Al-Ta合金薄膜のTa添加量が0.3〜3.0原子%かつCu含有量が0.03原子%以下であり、 前記Al-Ta酸化膜の膜厚が3〜10nmであり、かつ、 前記Al-Ta酸化膜中のTaの原子%濃度がAl-Ta合金薄膜中のTaの原子%濃度より低いことを特徴とする配線構造。
IPC (7件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34
FI (5件)：
H01L21/88 N ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R ,  C23C14/14 B ,  C23C14/34 N
Fターム (31件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA23 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB02 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033HH09 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR03 ,  5F033TT08 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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