Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：植木久一 , 植木久彦 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 竹岡明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221005
公開番号（公開出願番号）：特開2012-224942
出願日： 2011年10月05日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Taを含有するものである。好ましくは、AlおよびTaを含むAl-Ta系金属間化合物の平均粒子直径は0.005μm以上1.0μm以下で、且つ、Al-Ta系金属間化合物の平均粒子間距離は0.01μm以上10.0μm以下を満足するものである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Taを含有することを特徴とするAl基合金スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , C22C 21/00 , B22F 3/15 , C22C 1/02 , B22D 23/00 , B21B 3/00

FI (7件)：

C23C14/34 A , C22C21/00 N , B22F3/15 M , C22C1/02 503J , B22D23/00 B , B22D23/00 E , B21B3/00 J

Fターム (11件)：

4K018AA15 , 4K018EA16 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA23 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC08 , 4K029DC34 , 4K029DC39

引用特許：

審査官引用 (8件)

Al系電極膜および液晶ディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-382109 出願人：日立金属株式会社
Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120084 出願人：日立金属株式会社
高融点金属含有Al基合金鋳塊のスプレーフォーミング法による製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059344 出願人：株式会社神戸製鋼所

全件表示

前のページに戻る