半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-163449
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045989
出願日： 2016年08月24日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：

【課題】微細なトランジスタを提供する。または、寄生容量の小さいトランジスタを提供する。または、周波数特性の高いトランジスタを提供する。またはオン電流の大きなトランジスタを提供する。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、集積度の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体と、第2の絶縁体と、第2の導電体と、第3の導電体と、第4の導電体と、第5の導電体と、を有し、第2の絶縁体、第2の導電体、第3の導電体、第4の導電体および第5の導電体からなる開口部に埋め込まれた第1の導電体および第1の絶縁体を有し、第2の導電体は、第2の導電体の側面および第2の導電体の底面と、第4の導電体と、が接する領域を有し、第3の導電体は、第3の導電体の側面および第3の導電体の底面と、第5の導電体と、が接する領域を有する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体と、第1の導電体と、第2の導電体と、第3の導電体と、第4の導電体と、第5の導電体と、第1の絶縁体と、第2絶縁体と、第3の絶縁体と、を有し、前記第2の絶縁体には、前記第2の絶縁体を貫通して配置されている開口部が設けられ、前記開口部の底面は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、前記第1の絶縁体は、前記開口部の側面および底面と接する領域を有し、前記第1の導電体は、前記第1の絶縁体を介して前記開口部の側面および底面と面する領域を有し、前記第2の導電体、前記第3の導電体、前記第4の導電体および前記第5の導電体は、前記酸化物半導体と前記第2の絶縁体との間に位置し、前記第2の導電体は、前記第2の導電体の側面および前記第2の導電体の底面と、前記第4の導電体と、が接する領域を有し、前記第3の導電体は、前記第3の導電体の側面および前記第3の導電体の底面と、前記第5の導電体と、が接する領域を有し、前記第3の絶縁体は、前記酸化物半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 27/146 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/10 , G09F 9/30 , G09F 9/00

FI (13件)：

H01L29/78 617K , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L27/10 671Z , H01L27/10 321 , H01L27/08 102E , H01L27/08 321G , H01L27/14 A , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/10 , G09F9/30 338 , G09F9/00 338

Fターム (205件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC35 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 3K107GG12 , 3K107GG28 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA05 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 4M118FA07 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FB13 , 4M118GA02 , 4M118GA04 , 4M118GC07 , 4M118GC08 , 4M118GC14 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C094AA15 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA23 , 5C094BA27 , 5C094BA31 , 5C094BA43 , 5C094BA52 , 5C094BA62 , 5C094BA75 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094HA03 , 5C094HA05 , 5C094HA06 , 5C094HA07 , 5C094HA08 , 5C094HA10 , 5C094JA08 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BD06 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048BG11 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048CB08 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD24 , 5F083AD69 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083JA05 , 5F083JA31 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083ZA01 , 5F110AA01 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB10 , 5F110BB11 , 5F110CC10 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5G435AA16 , 5G435BB04 , 5G435BB05 , 5G435BB06 , 5G435BB12 , 5G435BB13 , 5G435EE12 , 5G435HH12 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435LL03 , 5G435LL07 , 5G435LL08 , 5G435LL10 , 5G435LL14 , 5G435LL17

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-250486 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-043410 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-147065 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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