特許
J-GLOBAL ID：201403062014893866

半導体装置およびその作製方法

発明者：
笹川 慎也

笹川 慎也 について

, 
倉田 求

倉田 求 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-043410
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199921
出願日： 2014年03月06日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：
【課題】高い電気特性を有する微細なトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、および高生産化を達成する。【解決手段】酸化物半導体膜を微細加工する際に、ハードマスクを用いることで酸化物半導体膜の側面の凹凸を抑制することができる。具体的には、絶縁表面102上の酸化物半導体膜104と、酸化物半導体膜上の第1のハードマスク106aおよび第2のハードマスク106bと、酸化物半導体膜および第1のハードマスク上のソース電極110aと、酸化物半導体膜および第2のハードマスク上のドレイン電極110bと、ソース電極およびドレイン電極上のゲート絶縁膜112と、ゲート絶縁膜と酸化物半導体膜と重畳するゲート電極114と、を有し、第1のハードマスクおよび第2のハードマスクは、導電性を有する膜である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上の第1のハードマスクおよび第2のハードマスクと、 前記酸化物半導体膜および前記第1のハードマスク上のソース電極と、 前記酸化物半導体膜および前記第2のハードマスク上のドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、 前記第1のハードマスクおよび前記第2のハードマスクは、導電性を有する膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (13件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105
FI (16件)：
H01L29/78 616U ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441
Fターム (188件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD26 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BC18 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15 ,  5F083ZA23 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG36 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (10件)
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