特許
J-GLOBAL ID：201703011046877470
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
酒井 昭徳
, 松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093586
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222823
特許番号：特許第6051573号
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素半導体基板上に電極構造を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素半導体基板上に、ニッケルおよびチタンを含む層を形成する第1形成工程と、
熱処理により、前記ニッケルおよびチタンを含む層から前記電極構造を構成するチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を生成する生成工程と、
前記チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層の表面に生じた炭素層を酸素と反応させて取り除く除去工程と、
前記除去工程後、前記チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層上に前記電極構造を構成する金属層を形成する第2形成工程と、
を含み、
前記チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層の最表面におけるチタンカーバイドに含まれる炭素原子数が当該最表面の全炭素原子数に対して12%以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
H01L 21/28 B
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/48 P
, H01L 29/48 D
