特許
J-GLOBAL ID：201703011797482790

ケイ素酸化物薄膜の除去方法

発明者：
澤田 佳宏

澤田 佳宏 について

, 
大橋 卓矢

大橋 卓矢 について

, 
真下 峻一

真下 峻一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-106294
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212393
出願日： 2016年05月27日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：
【課題】半導体基板の表層に存在する不純物拡散元素を含むケイ素酸化物の薄膜を、所望する程度に良好に除去できる、ケイ素酸化物の薄膜の除去方法を提供すること。【解決手段】表層が不純物拡散元素を含むケイ素酸化物の薄膜である半導体基板から、当該薄膜の少なくとも一部を除去するにあたって、半導体基板の表層と、除去液とを複数回接触させ、且つ除去液の複数回の接触において、前回の接触と、次回の接触との間に、半導体基板の表層を除去液とは異なる気体又は液体にさらす。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
表層が不純物拡散元素を含むケイ素酸化物の薄膜である半導体基板から、前記薄膜の少なくとも一部を除去する方法であって、 前記半導体基板の表層と、除去液とを、n+1回以上接触させることを含み、 前記nは、1以上の整数であり、 m回目の前記接触と、m+1回目の前記接触との間に、前記半導体基板の表層が、前記除去液とは異なる気体又は液体にさらされることを含み、 前記mは、1〜nの整数である、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
H01L21/308 G ,  H01L21/225 P ,  H01L21/225 R ,  H01L21/304 648G
Fターム (22件)：
5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043BB27 ,  5F043DD30 ,  5F157AA66 ,  5F157AA77 ,  5F157AB02 ,  5F157AB89 ,  5F157AC01 ,  5F157BB02 ,  5F157BB11 ,  5F157BC03 ,  5F157BC53 ,  5F157BE12 ,  5F157BE46 ,  5F157CB03 ,  5F157CB32 ,  5F157CE05 ,  5F157CE08 ,  5F157CE33 ,  5F157DB17 ,  5F157DB18
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM