特許
J-GLOBAL ID：201603000180537431

太陽電池及びその製造方法

発明者：
大塚 寛之

大塚 寛之 について

, 
渡部 武紀

渡部 武紀 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-225613
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092238
出願日： 2014年11月05日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：
【課題】ガリウムドープ基板を備える、変換効率に優れた太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするP型シリコン基板を備え、前記裏面上に誘電体膜を備え、前記P型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にN型導電型層を有する太陽電池であって、 前記P型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板であり、 前記P型シリコン基板の前記裏面に、拡散された第III族の元素を含むものであることを特徴とする太陽電池。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするP型シリコン基板を備え、前記裏面上に誘電体膜を備え、前記P型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にN型導電型層を有する太陽電池であって、 前記P型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板であり、 前記P型シリコン基板の前記裏面に、拡散された第III族の元素を含むものであることを特徴とする太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/18 ,  H01L 31/068 ,  H01L 21/225
FI (3件)：
H01L31/04 440 ,  H01L31/06 300 ,  H01L21/225 R
Fターム (9件)：
5F151AA02 ,  5F151BA17 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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