熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ワンディーIPパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-222498
公開番号（公開出願番号）：特開2015-084375
特許番号：特許第6180276号
出願日： 2013年10月25日
公開日（公表日）： 2015年04月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一端部が閉じられ且つ他端部が開放された形状を有するチューブと、被処理物を保持するために設けられ、前記チューブの延びる長手方向に沿って変位されることで前記チューブに出し入れされるボートと、前記ボートと前記長手方向に同行移動可能に構成され、前記ボートが前記チューブ内に配置された状態において前記チューブの前記他端部を塞ぐための閉塞部材と、前記ボートが前記チューブ内に配置された状態において前記チューブに取り囲まれる柱部材と、前記チューブ内の前記被処理物に熱処理用ガスを供給するためのガス供給装置と、を備え、前記柱部材は、円筒状の内周部と、この内周部を取り囲む円筒状の外周部と、を含み、前記ガス供給装置は、前記閉塞部材と前記長手方向に同行移動可能な可動部を含み、前記可動部は、前記熱処理用ガスを前記被処理物に供給するためのノズル部と、前記柱部材の前記内周部と前記外周部との間に配置されたガス管と、を含み、前記閉塞部材の外側から前記ガス管および前記ノズル部を通って前記熱処理用ガスが前記被処理物に供給されることを特徴とする、熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01) , H01L 21/324 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/22 511 S , H01L 21/31 E , H01L 21/324 R

引用特許：

出願人引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-110097 出願人：株式会社日立国際電気
基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-216493 出願人：株式会社日立国際電気
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-171441 出願人：国際電気株式会社

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審査官引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-110097 出願人：株式会社日立国際電気
基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-216493 出願人：株式会社日立国際電気
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-171441 出願人：国際電気株式会社

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