特許
J-GLOBAL ID：201703012765221974
熱電変換装置及びその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
中前 富士男
, 藤本 勝誠
, 来田 義弘
, 今中 崇之
, 清井 洋平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-259986
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107443
特許番号：特許第6152262号
出願日： 2012年11月28日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基材と、該基材の表面に配設され、直列に接続されるp型金属酸化物半導体素子及びn型金属酸化物半導体素子とを備える熱電変換装置において、
前記p型金属酸化物半導体素子及び前記n型金属酸化物半導体素子が膜状であり、
前記n型金属酸化物半導体素子が溶射により形成され、該n型金属酸化物半導体素子の気孔率が1%以上5%以下であることを特徴とする熱電変換装置。
IPC (4件)：
H01L 35/34 ( 200 6.01)
, H01L 35/22 ( 200 6.01)
, H01L 35/32 ( 200 6.01)
, H02N 3/00 ( 200 6.01)
H01L 35/34
, H01L 35/22
, H01L 35/32 A
, H02N 3/00 A
