特許
J-GLOBAL ID：201703012947487660
太陽電池およびその太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
楠本 高義
, 中越 貴宣
, 三雲 悟志
, 森 優
, 浅野 哲平
, 中川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-146310
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028138
出願日： 2015年07月24日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：
【課題】従来に比べて簡易に製造でき、変換効率を高めた太陽電池およびその製造方法を提供する【解決手段】太陽電池10は、基板12の上に第1電極14、電子輸送層16、光電変換層18、ペロブスカイト構造の化合物の層20、正孔輸送層22、第2電極24が順番に積層されている。光電変換層18は、n型半導体とp型半導体とが接合された層である。n型半導体がメソポーラスになっており、不規則な形状の隙間を有する。その隙間にp型半導体が入り込んでいる。ペロブスカイト構造の化合物のPb原子位置に異元素ドーピングをおこなう。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を準備する工程と、
前記基板の一面上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に電子輸送層を形成する工程と、
前記電子輸送層の上にn型半導体をメソポーラスに形成する工程と、
前記メソポーラスに形成されたn型半導体に存在する隙間にペロブスカイト構造の化合物を形成し、光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層の上にペロブスカイト構造の化合物の層を形成する工程と、
前記ペロブスカイト構造の化合物の層の上に正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔輸送層の上に第2電極を形成する工程と、
を備え、
前記ペロブスカイト構造の化合物のPb原子位置に価数の異なる異元素ドーピングをおこなった太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L31/04 112B
, H01L31/04 154Z
, H01L31/04 162
5F151AA11
, 5F151BA11
, 5F151CB13
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151FA02
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA03
