特許
J-GLOBAL ID：201103035839133016
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181564
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035257
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】基板の反りが抑制され、高い不純物の活性化率を保ちつつ従来よりも平滑な炭化珪素の表面を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板のおもて面に不純物ドープ領域を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、炭化珪素基板のおもて面に不純物イオンを注入する工程と、前記炭化珪素基板のおもて面及び裏面にカーボン膜を成膜する工程と、前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、前記活性化熱処理する工程の後に、前記おもて面及び裏面のカーボン膜を除去する工程と、を順に実施することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板のおもて面に不純物ドープ領域を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
炭化珪素基板のおもて面に不純物イオンを注入する工程と、
前記炭化珪素基板のおもて面及び裏面にカーボン膜を成膜する工程と、
前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、
前記活性化熱処理する工程の後に、前記おもて面及び裏面のカーボン膜を除去する工程と、を順に実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/265 Z
, H01L21/265 602B
, H01L21/265 602Z
